教你辨別損壞的SCR控制模塊的原因

當可控硅模塊損壞時，一定要能夠及時研究發現損壞原因，然后可以立即做故障信息處理，下面教大家對于如何通過區分可控硅模塊損壞的原因?？煽毓枘K通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。

當晶閘管模塊損壞，冷卻套可以從芯片去除，芯片倉在打開，取出芯片。讓我們來看看一些常見的圖像。

電流可以進行數據損壞。電流通過損壞的痕跡主要發展特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其方位在中國企業需要遠離我們自己操控極上。

電壓擊穿。 可控硅不能因接受工作電壓而損壞，其芯片設計有這樣一個沒有光的小孔，有時需要用膨脹鏡看到。 原因可能是當公司本身降低其電壓電阻或斷開時發生的高壓擊穿。

損壞電流增長率。 電流軌跡被電流軌跡損壞，其鄰近的方向控制電極或控制電極。

邊際損害。他發生在芯片外倒角，略有光澤孔?？梢杂梅糯箸R倒角面可以看出觸及金屬物體進行仔細研究。這是偶然形成的生產廠家的本控制裝置。它使工作電壓擊穿。

以上4個原因為可控硅模塊設計常見損壞主要原因，遇到可控硅模塊以及損壞，應冷靜處理分析。