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              晶閘管智能模塊的選型及注意事項

              晶閘管智能模塊的選型及注意事項

              1、使用環境要求

              (1)工作場所的環境溫度范圍:-25°c~45°c。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。

              周圍(2)模塊應干燥,通風,從熱,灰塵,腐蝕性離子液體或氣體的路程。

              2、導通角要求

              當導通角的影響較大的輸出電流的模塊(即,模塊的高電壓輸入信號,低輸出電壓)以小,這樣不僅會學生模塊嚴重過熱問題可以甚至燒壞。這是因為我們在用普通工具,而不是一個有效的值,該數據顯示的當前值測量的非正弦電流狀態,雖然計不超過這個模塊的標稱值,但有效的值超過標準其他模塊說了好幾次的價值。因此,請求管理模塊應被設計成具有在導通角(100度)大的工作。

              如圖3所示,當前社會規范進行選擇模塊

              考慮到電網啟動時電壓波動和負載一般比其額定工作電流大幾倍,且SCR芯片抗電流沖擊分析能力較差,建議在選擇模塊通過電流規格時留適當余量。 建議的備選方案如下:

              電阻負載: 模塊額定電流為負載額定電流的2倍。 感性負載: 模塊的額定電流應為負載額定電流的3倍。

              4、控制要求

              (1)電壓dc12v0.5 V,紋波電壓≤30mv,輸出電流≥1a;

              (2)開關控制電源,電源也可以是一個線性的(即,變壓器整流器型電源)。開關工作電源系統外殼被屏蔽罩。線性功率進行需求分析濾波電容行為必須≥2200μf/ 25V。

              (3)一個控制系統電源極性正確學生訪問端口內部控制模塊,反向禁止。否則,控制電路模塊可能燒壞。

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